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【純水設(shè)備http://www.twkcr.cn】反滲透膜元件的污染物

純水設(shè)備反滲透膜元件在正常運(yùn)行一段時間后，會受到水中可能存在的懸浮或不溶性物質(zhì)的污染。常見的污染物有碳酸鈣垢、硫酸鈣垢、金屬氧化物垢、硅質(zhì)沉積物和有機(jī)或生物沉積物。

污染的性質(zhì)和程度與供水條件有關(guān)。污染發(fā)展緩慢，如果不及早采取措施，會在較短的時間內(nèi)損害膜元件的性能。

定期檢測系統(tǒng)的整體性能是確定膜元件污染的好方法。表中列出了常見污染物對膜性能的影響。

與上表相對應(yīng)的常用清洗液如下:

根據(jù)場地的情況進(jìn)行分析，可以根據(jù)具體的條件進(jìn)行具體的搭配。

02污染物去除

去除污染物可以通過化學(xué)清洗和物理沖洗來實(shí)現(xiàn)，有時還可以通過改變操作條件來實(shí)現(xiàn)。一般來說，當(dāng)發(fā)生下列情況之一時，應(yīng)進(jìn)行清洗。

1. 在正常壓力下，若流量下降到正常值的10-15%;

2. 為了維持正常的出水流量，溫度修正后的水壓增加了10-15%;

3.出水水質(zhì)降低10-15%。鹽透過率提高10-15%;

4. 增加使用壓力10-15%;

5. 純水設(shè)備反滲透段之間的壓差顯著增大(可能沒有儀器來監(jiān)測這個信號);

常見污染物及其去除方法

1. 碳酸鈣垢

由于阻垢劑添加系統(tǒng)的失效或酸添加系統(tǒng)的失效，當(dāng)水的pH值增加時，可能會沉積碳酸鈣。碳酸鈣尺度降水的發(fā)生應(yīng)盡可能早地發(fā)現(xiàn),防止晶體的生長表面的膜損傷,如早期發(fā)現(xiàn)的碳酸鈣,可以用來降低水pH值3.0 ~ 5.0運(yùn)行1 ~ 2個小時的方法。對于沉淀時間較長的碳酸鈣垢，應(yīng)采用檸檬酸清洗液進(jìn)行循環(huán)清洗或隔夜浸泡。

注意:確保任何清洗液的pH值都不低于2.0，杯子可能會對反滲透膜元件造成損壞，尤其是在高溫下，高pH值不應(yīng)高于11.0。用氨來提高pH值，用硫酸或鹽酸來降低pH值。

2、硫酸鈣垢

三聚磷酸鈉溶液（參見上表中三聚磷酸鈉溶液）是將硫酸鈣垢從反滲透膜表面去除掉的最佳方法。

3、金屬氧化物垢

可以使用上面所述的去除碳酸鈣垢的方法，很容易地去除沉積下來的氫氧化物（例如氫氧化鐵）。

4、硅垢

對于不是與金屬化物或有機(jī)物共生的硅垢，一般只有通過專門的清洗方法才能將他們?nèi)コ?/span>

5、有機(jī)沉積物

有機(jī)沉積物（例如微生物粘泥或霉斑）可以使用上表清洗液3去除，為了防止再繁殖，可使用殺菌溶液在系統(tǒng)中循環(huán)、浸泡，一般需較長時間浸泡才能有效，如反滲透裝置停用三天時，最好采用消毒處理。

6、清洗液

清洗反滲透膜元件時建議采用上表所列的清洗液。確定清洗前對污染物進(jìn)行化學(xué)分析十分重要的，對分析結(jié)果的詳細(xì)分析比較，可保證選擇最佳的清洗劑及清洗方法，應(yīng)記錄每次清洗時清洗方法及獲得的清洗效果，南通純水設(shè)備為在特定給水條件下，找出最佳的清洗方法提供依據(jù)。

對于無機(jī)污染物建議使用清洗液1。對于硫酸鈣及有機(jī)物建議使用清洗液2。對于嚴(yán)重有機(jī)物污染建議使用清洗液3。所有清洗可以在高溫度為40℃下清洗60分鐘，所需用品量以每100加侖（379升）中加入量計(jì)，配制清洗液時按比例加入藥品及清洗用水，應(yīng)采用不含游離氯的反滲透產(chǎn)品水來配制溶液并混合均勻。

清洗時將清洗溶液以低壓大流量在膜的高壓側(cè)循環(huán)，此時膜元件仍裝壓力容器內(nèi)而且需要用專門的清洗裝置來完成該工作。

04 清洗純水設(shè)備反滲透膜元件的一般步驟

 

1、用泵將干凈、無游離氯的反滲透產(chǎn)品水從清洗箱（或相應(yīng)水源）打入壓力容器中并排放幾分鐘。

 

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2、用潔凈的水在清洗箱中配制清洗液。

3、將清洗液在壓力容器中循環(huán)1小時或預(yù)先設(shè)定的時間，對于8英寸或8.5英寸壓力容器時，流速為35~40加侖/分鐘 （133~151升/分鐘 ） ，對于6英寸壓力容器流速為15~20加侖/分鐘 （57~76升/分鐘 ） ，對于4英寸壓力容器流速為9~10加侖/分鐘 （34~38升/分鐘 ）

4、清洗完成以后，排凈清洗箱并進(jìn)行沖洗，然后向清洗箱中充滿干凈的水以備下一步?jīng)_洗。

5、用泵將干凈、無游離氯的水從清洗箱（或相應(yīng)水源）打入壓力容器中并排放幾分鐘。

6、在沖洗反滲透系統(tǒng)后，在排放閥打開狀態(tài)下運(yùn)行反滲透系統(tǒng)，直到產(chǎn)品水清潔、無泡沫或無清洗劑（通常需15~30分鐘 ） 。

05 反滲透膜污染特征及處理方法

1、細(xì)菌污染

一般特征：脫鹽率可能降低、系統(tǒng)壓降明顯增加、系統(tǒng)產(chǎn)水量明顯降低；

清洗方法：pH值10，2%三聚磷酸鈉溶液，0.8%EDTA四鈉（嚴(yán)重時更換為0.25%的Na-DDBS)，溫度40℃；0.1%NaOH和0.03%SDS，pH=11.5。

2、硫酸鈣污染

一般特征：脫鹽率明顯降低、系統(tǒng)壓降稍有或適度增加、系統(tǒng)產(chǎn)水量稍有降低；

清洗方法：pH值10，2%三聚磷酸鈉溶液，0.8%EDTA四鈉（嚴(yán)重時更換為0.25%的Na-DDBS)，溫度40℃；有時也可用pH小于10的NaOH水溶液清洗。

3、有機(jī)物沉淀

一般特征：脫鹽率可能降低、南通純水設(shè)備系統(tǒng)壓降逐漸升高、系統(tǒng)產(chǎn)水量逐漸降低；

清洗方法：pH值10，2%三聚磷酸鈉溶液，0.8%EDTA四鈉（嚴(yán)重時更換為0.25%的Na-DDBS)，溫度40℃。

4、氧化物/氫氧化物（鐵、鎳、銅）污染

一般特征： 脫鹽率明顯下降、系統(tǒng)壓降明顯升高、系統(tǒng)產(chǎn)水量明顯降低

清洗方法：氨水調(diào)pH值4，2%的檸檬酸溶液，溫度40℃，有時也可以用pH2-3（0.5%）的鹽酸水溶液清洗。

5、無機(jī)鹽沉淀物污染

一般特征： 脫鹽率明顯下降、系統(tǒng)壓降增加、系統(tǒng)產(chǎn)水量稍降

清洗方法：2%檸檬酸溶液，氨水調(diào)pH值4，溫度40℃，也可用pH2-3（0.5%）的鹽酸水溶液清洗。

6、各種膠體（鐵、有機(jī)物及硅膠體）污染

一般特征： 脫鹽率稍有將低、系統(tǒng)壓降稍有上升、系統(tǒng)產(chǎn)水量逐漸減少。

清洗方法：硫酸調(diào)pH值10，0.2%三聚磷酸鈉STTP溶液，溫度40℃；有時也可以用pH小于10的NaOH水溶液清洗。

06 反滲透膜清洗幾種常用配方

清洗配方一

1%-2%檸檬酸溶液或0.4%HCl溶液，適用于鐵污染及碳酸鹽結(jié)晶污堵；

清洗配方二

0.2%NaClO+0.1%NaOH溶液，適用于清洗由有機(jī)物及活性生物引起的膜組件的污染；

清洗配方三

0.3%H2O2+0.3%NaOH溶液，適用于清洗由glutamic acid發(fā)酵液引起的膜組件的污染；

清洗配方四

1%甲醛溶液，適用于細(xì)菌污染的超濾；

清洗配方五

HNO3的0.5%水溶液，南通純水設(shè)備適用于電泳漆處理過程中磷酸鉛對膜組件造成的污堵（此清洗必須在其他常規(guī)化學(xué)清洗之后進(jìn)行。）；

清洗配方六

20%的Na2CO3、7%的Na3PO4、3%的NaOH、0.5%的EDTA，主要用于膠體污染物造成的膜污染；

清洗配方七

9%的十二烷基苯磺酸鈉、9%的表面活性劑、0.4%的NaOH、0.15的無水碳酸鈉、11%的磷酸鈉、10%的硅酸鈉，清洗時需注意pH的控制，有些膜不適用于高pH清洗液的清洗，要慎重選擇，主要用于清洗含油廢水所造成的膜污染；

清洗配方八

3%的H3PO4、0.5%的EDTA-2Na、0.5%的LBOW專用清洗劑，主要用于清洗蛋白質(zhì)和油脂污染物造成的污染。

清洗配方九

20%的H2SO4，主要用于硅垢結(jié)晶造成的污染。

RO膜元件是反滲透設(shè)備系統(tǒng)中重要的部分，其日常維護(hù)的好壞直接影響到系統(tǒng)出水水質(zhì)的好壞，這里對于反滲透膜的清洗方法加以概述，系統(tǒng)說明反滲透膜在運(yùn)行中可能出現(xiàn)的污染物以及相對應(yīng)的清洗方法。公司可根據(jù)客戶要求制作各種流量的純水設(shè)備，超純水設(shè)備及軟水處理設(shè)備。 實(shí)驗(yàn)室水處理設(shè)備，南通純水設(shè)備。